光刻完成后对没有光刻胶保护的晶圆部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了半导体器件在晶圆表面的构建过程。通常在蚀刻过程中以及刻蚀过程后，涉及到对晶圆基底厚度的测量，红外干涉传感器便是合适的测量方案。
光干涉法测量透明体厚度原理
使用与光谱共焦相同的白光作为光源，配上特殊的探头，也可以利用光谱仪的配置来测量玻璃/薄层的厚度。当光投射到薄层的表面（玻璃/薄层厚度在 2μm 到 250μm 之间），反射光会产生干涉图样并被传感器接收。
通过计算反射信号的傅里叶变换，传感器能以最大 66,000 次每秒的速度捕捉多层材料的厚度。此测量方法适用于液体和固体材料，能够测量玻璃、流体或薄膜厚度，甚至空气层厚。
光干涉法测量非透明体厚度原理
使用红外光光源和特殊探头，类似硅或塑料之类的不透明材料也能被测量。根据从物体两个（或多个）表面反射回来的光信号，能够通过干涉图样计算出厚度。如果样本有许多层，每层的单独厚度和总厚度都能被算出。由于探头不含任何电子元件或移动部件，在做流水线测量时非常可靠，不受潮湿，酸性或不干净的环境因素影响。
