TTV、BOW、WARP对晶圆制造工艺的影响
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对化学机械抛光工艺的影响：抛光不均匀，可能会导致CMP过程中的不均匀抛光，从而造成表面粗糙和残留应力。
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对薄膜沉积工艺的影响：凸凹不平的晶圆在沉积过程中会导致沉积薄膜厚度的不均匀，影响随后的光刻和蚀刻过程中创建电路图案的精度。
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对光刻工艺的影响：影响聚焦；不平整的晶圆，在光刻过程中，会导致光刻焦点深度变化，从而影响光刻图案的质量。
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对晶圆装载工艺的影响：在自动装载过程中，凸凹的晶圆容易损坏。如碳化硅衬底加工过程中，一般还会在切割工艺时留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。
TTV、BOW、Warp的区别
WD4000系列晶圆几何量测系统功能及应用方向
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光谱共焦技术测量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等参数，同时生成Mapping图；
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三维轮廓测量技术：对Wafer表面进行光学扫描同时建立表面3D层析图像，高效分析晶圆表面形貌、粗糙度、测量镭射槽深宽等形貌参数；
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白光干涉光谱分析仪，可通过数值七点相移算法计算，以亚纳米分辨率测量晶圆表面的局部高度，并实现膜厚测量功能；
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红外传感器发出的探测光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），适用于测量外延片、键合晶圆几何参数。
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CCD定位巡航功能，具备Mark定位，及图案晶圆避障功能。
